덤프버전 :

파일:다른 뜻 아이콘.svg
은(는) 여기로 연결됩니다.
K-POP 팬덤 플랫폼 애플리케이션 팹에 대한 내용은 Fab 문서
Fab번 문단을
Fab# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
, {{{#!html }}}에 대한 내용은 문서
#s-번 문단을
#s-번 문단을
# 부분을
# 부분을
참고하십시오.






'''[[반도체|반도체 제조 공정
{{{#!wiki style="font-family: Times New Roman, serif; font-style: Italic; color: white; display: inline;"
Semiconductor Fabrication
]]'''
[ 펼치기 · 접기 ]




1. 개요
2. 상세
3. 반도체 제조 공정
4. 팹 목록


파일:CleanRoom_red.jpg
Fab / Semiconductor device fabrication

1. 개요[편집]


fabrication facility의 준말로 실리콘 웨이퍼 제조 시설을 뜻한다.


2. 상세[편집]


반도체 부품[1]을 생산하는 공장. 컴퓨터스마트폰 등의 핵심 부품(CPU, GPU, RAM 등)을 만든다. 반도체 생산을 위한 팹은 먼지와 소음, 자기장 등으로부터 완벽하게 보호돼야 한다. 공정이 미세화되다 보니 필연적으로 무균 시설이다. 규소 덩어리를 판 형태로 자르고, 잘 연마한 다음 바이러스만큼 작은 회로[2]를 심는 작업을 거친 뒤 테스트하고 출고하는 과정을 거친다.

대체로 회사를 지칭하기보단 개별 공장 시설을 뜻한다. 반도체 회사는 제조 공장을 직접 건설하고 운영할 수도 있지만[3], 때로 제조는 다른 회사에 맡기고 칩 설계만 하기도 한다.[4] 현재는 ASML에서 분광기를 독점하는 형태라 반도체 공정을 늘리기 위해선 개별 시설을 늘릴 수 없어서 회사 전체를 매입하는 의미로도 사용되곤 한다.

근래의 대부분의 반도체 업계는 이 팹을 갖지 않고 반도체의 설계 및 개발만 한 뒤 팹을 가진 회사에 반도체를 위탁생산하는 팹리스(fabless) 회사로 운영되며, 팹을 가진 파운드리 업체에게 생산을 맡기는 게 보편적이다. 대만TSMC가 대표적인 파운드리 업체로 세계 1위 업체로 알려져 있다.


3. 반도체 제조 공정[편집]


공정
이름[5]
노드
형태
출시
연도
트랜지스터
인터커넥트
피치
트랜지스터 핀
밀도
게이트 피치
피치

높이
10㎛
정의
1970






6㎛
정의
1974






3㎛
정의
1977






1.5㎛
정의
1982






1㎛
정의
1985






800㎚
정의
1989






600㎚
정의
1994






350㎚
정의
1995






250㎚
정의
1997






220㎚
하프
1999






180㎚
정의
1999






150㎚
하프
2001






130㎚
정의
2001






110㎚
하프
2004






90㎚
정의
2004






80㎚
하프
2006






65㎚
정의
2006






55㎚
하프
2007






45㎚
정의
2007






40㎚
하프
2008






32㎚
정의
2010






28㎚
하프
2012






22㎚
정의
2012






20㎚
하프
2014






14㎚
정의
2014
?
70㎚
56㎚
42㎚
8㎚
42㎚
10㎚
정의
2017
?
48㎚
36㎚
36㎚
?
42㎚
8㎚
하프
2019






7㎚
정의
2018
?
48㎚
28㎚
?
?
?
5㎚
정의
2020
?
42㎚
24㎚
?
?
?
3㎚
정의
2022








4. 팹 목록[편집]


SK하이닉스 반도체 팹, 어디까지 가봤니?삼성전자 반도체 팹, 어디까지 가봤니?를 참고하였다. 생산량은 월간 웨이퍼 장수로 나타내는 것이 관례이며, 특별한 언급이 없으면 300 mm 웨이퍼 기준이다.

회사
위치
이름
생산 시작
생산량
생산 제품
비고
SK하이닉스
이천
M10
2005
22만
D램/CIS
M10+M14=15만(D램), 2만(CIS)
M14
2015
D램/낸드
M10+M14=15만(D램), 5만(낸드)
M16
2021
6만
D램
EUV
우시
C2
2006
19만
D램
C2+C2F=19만(D램)
C2F
2019
D램
C2+C2F=19만(D램)


10만
파운드리
200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
청주
M8


파운드리/CIS
200 mm, 자회사 SK하이닉스시스템IC
M11/M12
2008/2012
9만
낸드

M15
2018
6만
낸드



10만
파운드리
200 mm, 자회사 키파운드리
다롄


10만
낸드
자회사 솔리다임, 인텔에서 인수
삼성전자
기흥
6라인

30만
파운드리
200 mm, 구 6라인+7라인+8라인
S1

15만
파운드리
구 9라인+14라인
오스틴
S2
2011[6]
10만
파운드리

화성
12라인


낸드

13라인


D램

15라인


D램

16라인
2011[7]

D램

17라인
2015[8]
17만
D램
EUV(V1)
S3


파운드리
EUV(V1)
S4


CIS
구 11라인
시안
1공장
2014[9]
21만
낸드

2공장

낸드

평택
P1
2017[10]
29만
D램/낸드
10만(D램), 19만(낸드)
P2
2020[11]

D램/낸드/파운드리
EUV(V2)


파일:크리에이티브 커먼즈 라이선스__CC.png 이 문서의 내용 중 전체 또는 일부는 2023-12-23 16:16:51에 나무위키 문서에서 가져왔습니다.

[1] 집적 회로[2] 흔히 n nm 공정이라 부르는 건 FET의 채널 길이가 n nm임을 뜻한다. TSMC의 경우 가장 작은 건 3nm 공정을 쓰는데, 이 정도 크기의 FET가 모여서 회로 하나를 구성하면 수백 nm 정도인 바이러스와 비슷한 크기가 될 것이다.[3] 인텔삼성전자가 대표적이다.[4] Apple, 퀄컴NVIDIA 등등 있다.[5] 여기 나오는 수치는 회로선폭, 또는 mosfet 채널 길이를 의미한다.[6] 삼성전자, 미국 오스틴 시스템LSI 라인 풀 가동 시작[7] 삼성전자, 세계 최대 규모 메모리 16라인 가동[8] 삼성전자 화성 반도체사업장 17라인 본격 가동[9] 삼성전자, 중국 시안(西安) 반도체 공장 본격 가동[10] 삼성전자, 세계 최대 규모 평택 반도체 라인 가동[11] 삼성전자, 세계 최대규모 평택 2라인 가동