문서 보기문서 편집수정 내역 인텔 파운드리 서비스 (덤프버전으로 되돌리기) [include(틀:다른 뜻1, other1=전함, rd1=IFS(기동전함 나데시코))] ||<-2><tablealign=right><tablewidth=450><tablecolor=#0068b5,#fff><tablebordercolor=#0068b5><tablebgcolor=#fff,#191919><colbgcolor=#0068b5><colcolor=#fff> '''{{{+2 인텔 파운드리 서비스}}}[br]{{{-1 Intel Foundry Services}}}''' || ||<-2>{{{#!wiki style="margin: -6px -10px" [[파일:인텔파운드리서비스2.jpg|width=100%]]}}}|| ||<width=20%> '''사명''' ||인텔 파운드리 서비스[br](Intel Foundry Services) || || '''국적''' ||[include(틀:국기, 국명=미국)] || || '''설립''' ||[[2021년]] || || '''산업''' ||[[파운드리]] || || '''모기업''' ||[[인텔]] || || '''대표자''' ||스튜어트 팬 {{{-2 (인텔 SVP / 2023년~ )}}} || || '''매출''' ||8억 9,500만 달러^^(2022년)^^[* 자사 제품 외에 외부 고객사 물량만 집계된 수치다. 인텔은 2022년 기준으로 [[TSMC]]와 달리 레거시 공정 시설은 없으며 자사 제품 위주로 45nm 이하부터 10nm까지만 생산하고 있다. 10nm 미만의 공정은 TSMC에 39억 달러 가량의 수주를 주며 위탁 생산하고 있다. 2023년부터 차례로 10nm 미만의 공정도 직접 자립화 할 예정이다.] || [목차] [clearfix] == 개요 == IFS는 [[인텔]]의 [[파운드리]] 사업 부문이다. 2021년부터 본사업에서 벌어들인 현금흐름 대부분을 파운드리에 집중 투자하여 가장 빠른 2나노 양산을 준비하고 있으며, 2030년까지 업계 2위를 목표로 하고 있다.[* 파운드리 연구개발 및 자본적지출을 위해 2021년에는 자사주매입과 배당이 전년도 대비 약 60% 감소했으며, 심지어 2022년에는 자사주 매입을 중단했다. 말 그대로 직접적인 주주환원을 포기하며 아낀 현금흐름을 연구개발과 자본적지출에 전부 쏟아부으며 파운드리에 사활을 걸고 있는 셈이다.][* 이러한 전략에 대한 의구심과 더불어 본사업이 크게 부진하자, 2021년 2분기부터 2022년 3분기까지 [[닷컴버블]] 이후 최악의 주가 하락을 맛보았다. 자사주매입을 중단하고 배당금 지급을 줄였기 때문에 주식의 유동성이 매우 높아진 점도 당시에는 패착으로 작용했다. 하지만 2023년부터 실적이 차츰 개선되고, AMSL의 EUV 장비를 경쟁사보다 빠르게 납품받아 ARM 등의 고객사를 확보하여 기존의 20A와 18A 양산에 긍정적인 신호탄이 되자, 나스닥에서 한 해동안 가장 많이 상승한 종목 중 하나가 되며 분위기 반전에 성공했다.] == 역사 == 2012년에 “인텔 커스텀 파운드리 그룹”을 신설한 이래로 사업 부진으로 인해 2018년을 마지막으로 철수했다. 팻 겔싱어 체제가 확립된 이후인 2021년부터 IFS 신사업부를 꾸리고 3월에 사업 재진출을 선언했다. 재진출의 일환으로 [[애리조나]]에 200억 달러를 투자하여 두 곳의 팹을 증설한다는 계획을 발표했다. [[팬데믹]] 이후 반도체 공급망 병목 사태와 더불어 [[중국]]의 영향력 강화로 인해, 미국은 이를 타개하고자 팹을 미국 내수에 증설하도록 반도체 지원 정책을 실시했다. 둔화되어가던 연산 반도체 사업 외에 다른 타개책이 필요했던 인텔과 미정부의 이해관계가 제대로 들어맞은 것이다. 2022년 1월, [[오하이오]]에 200억 달러 투자를 발표했다. 2022년 2월, 54억 달러에 [[이스라엘]] 파운드리 업체인 [[타워세미컨덕터]] 인수를 발표했다. 업계 9위 사업자이며 2022년 기준 um 수준의 레거시 공정을 위주로 16억 8,000만 달러의 매출을 기록했다. 2022년 3월, 독일과 아일랜드 공장을 비롯하여 프랑스 디자인센터, 이탈리아 패키징공장, 폴란드 연구개발센터, 스페인 슈퍼컴퓨팅센터까지 유럽에 10년간 도합 800억 유로 투자를 발표했다. 2022년 8월, [[캐나다]]의 브룩필드자산운용과 각각 150억 달러를 투자하여 애리조나 공장에 공통 출자한다고 발표했다. 운영은 인텔이 하며, 수익은 절반으로 쪼개 분배할 예정이다. 2023년 5월 기준, 인텔은 미국 [[칩스법]]의 최대 수혜 기업으로 떠오르고 있다. 칩스법에 의해 미국 정부는 보조금을 신청한 반도체 기업들의 민감한 기밀 정보들을 모두 수집할 수 있게 된다.[[https://news.g-enews.com/ko-kr/news/article/news_all/2023052407110716706b49b9d1da_1/article.html?md=20230524132153_U|#]] 현재 TSMC는 상황이 여의치 않아 칩스법 보조금 신청을 하게 될 전망이며 그렇게 된다면 TSMC의 기밀들은 미국 정부에 속하게 된다. 암시적으로 이런 결과는 인텔 파운드리로 정보 유출될 가능성이 매우 높아진 상태이며 만약 미국 정부가 얻은 TSMC의 기술을 인텔이 흡수하게 된다면 인텔은 빠른 경쟁력을 갖출 가능성이 높아진다. 2023년 6월 11일, 170억 유로 규모의 [[독일]] 공장 증설 과정에서 에너지 및 건축 비용 증가로 인해 당초 68억 유로 규모의 보조금을 100억 유로까지 인상해달라는 요청이 크리스티안 린트너 독일 재무부 장관에 의해 거절되었다. 다만 [[올라프 숄츠]] 총리는 EU 내 반도체 패권 강화를 위해 인텔에 대한 재정적 지원은 필연적이라는 입장이라, 상황을 계속 예의주시할 필요가 있다. 15일에 보조금 인상이 결국 승인이 임박했다는 블룸버그의 보도가 나왔다. [[크리스티안 린트너]] 재무부 장관이 거절했지만, [[로베르트 하베크]] 경제부장관의 드라이브로 인해서 99억 유로에 보조금이 합의되고 있다고 하며, 최종 승인만 남았고, 이번주 주말에 마지막 협상이 열리고, 6월 19일 월요일에 인텔의 겔싱어 CEO와 독일 대표단이 최종 서명할 것이라고 한다. 2023년 6월 19일, 인텔은 유럽에 80조원을 투자하기로 결정했다.[[https://n.news.naver.com/mnews/article/005/0001617575?sid=101|#]] 팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 지난 3월에 향후 10년간 최대 800억 유로를 투자해 유럽 각국에 반도체 생산시설과 연구·개발(R&D) 역량을 확보할 계획이라고 밝힌 바 있다. 겔싱어 CEO는 로이터통신과의 인터뷰에서 "반도체 산업을 아시아에 빼앗겼다. 이를 되찾으려면 경쟁력을 갖춰야 한다"고 강조했다. 2023년 3분기 3억 1,100만 달러의 매출을 올렸는데, 이는 전년 동기 대비 4배 가까이 상승한 수치다. 피운드리 호실적에 힘입어 모기업 인텔의 주가는 9% 가까이 폭등했다. 2023년 12월 26일 [[이스라엘]] 정부가 인텔이 250억 달러 규모의 투자를 단행하며 건설중인 키르얏 갓 플랜트에 32억 달러 보조금을 지원하기로 발표했다. 인텔의 키르얏 갓 공장은 이스라엘 역대 최대 규모의 단일 투자다. == 생산 시설 == ||<tablealign=left><tablewidth=450><tablebordercolor=#0068b5><tablebgcolor=#ffffff,#1f2023> {{{#!wiki style="margin: -5px -10px -6px" [[파일:인텔 fab42.webp|width=100%]]}}} || ||<bgcolor=#0068b5><color=#ffffff> [[인텔|'''{{{#ffffff Chandler Fab 42 }}}''']] || * 8인치 웨이퍼 (7곳) * [[뉴멕시코]] Fab 11x {{{-2 (1995~ / 14~45nm)}}} * [[애리조나]] Fab 12 {{{-2 (2006~ / 10~22nm)}}} * [[애리조나]] Fab 22 {{{-2 (2002~ / 10~22nm)}}} * [[아일랜드|레익슬립]] Fab 24 {{{-2 (2006~ / 14nm)}}} * [[이스라엘|키르얏 갓]] Fab 28 {{{-2 (1996~ / 22nm)}}} * [[애리조나]] Fab 32 {{{-2 (2007~ / 10~22nm)}}} * [[애리조나]] Fab 42 {{{-2 (2020~ / 10nm)}}} * 건설 중인 공장 (7곳) * [[오하이오]] Fab 27 {{{-2 (~2025 / 5nm / 12인치)}}}[* 2022년 1월, 200억 달러 투자를 발표했다.] * [[이스라엘|키르얏 갓]] Fab 28 {{{-2 (~2023 / 10~22nm / 12인치)}}} * [[마그데부르크]] Fab 29 {{{-2 (~2027 / 12인치)}}}[* 2022년, 170억 유로 투자를 발표했다.] * [[아일랜드|레익슬립]] Fab 34 {{{-2 (~2023 / Intel 4 / 12인치)}}}[* 2022년, 120억 유로 투자를 발표했다.] * [[이스라엘|키르얏 갓]] Fab 38 {{{-2 (~2024 / 22nm / 12인치)}}} * [[애리조나]] Fab 52 {{{-2 (~2024 / Intel 20A / 12인치)}}}[* 2021년 3월, Fab 52와 62에 200억 달러 투자를 발표했으며, 2022년 8월에 300억 달러 규모로 확장했다. 브룩필드자산운용과 공동 출자하여 수익은 반반으로 나눌 예정이다.] * [[애리조나]] Fab 62 {{{-2 (~2024 / Intel 20A / 12인치)}}} == 제조 공정 == {{{#!wiki style="word-break: keep-all" ||<table align=center><tablebordercolor=#0071c5><rowbgcolor=#0071c5><rowcolor=white><-5> 인텔의 리소그래피 공정 || ||<rowbgcolor=#0071c5><rowcolor=white> 연도 || 공정 이름 || 노드 || 메탈 레이어 수 || 채택된 아키텍처 || || 1972년||PMOS I || 10 μm|| 1||4004 || || 1974년||HMOS I || 8 μm|| 1|| || || 1976년||HMOS II, HMOS III || 6 μm|| 1||8080 || || 1977년||CHMOS I || 3 μm|| 1||8086, 8088, 80186 || || 1979년||CHMOS II || 2 μm|| 1|| || || 1982년||P646 (CHMOS III) || 1.5 μm|| 1||80286, 80386 || || 1987년||P648 || 1 μm|| 2||80486 || || 1989년||P650 || 800 nm|| 3||80486 || || 1991년||P652 || 600 nm|| 4||80486, P5 || || 1993년||P852 || 500 nm|| 4||P5 || || 1995년||P854 || 350 nm|| 4||P5, P6 || || 1997년||P856 || 250 nm|| 5||P5, P6 || || 1998년||P856.5 || 250 nm|| 5||P6 || || 1999년||P858 || 180 nm|| 6||P6, 넷버스트 || || 2001년||P860 || 130 nm|| 6||P6, 넷버스트 || || 2003년||P1262 (CPU), P1263 (I/O, SoC) || 90 nm|| 7||P6, 넷버스트 || || 2005년||P1264 (CPU), P1265 (I/O, SoC) || 65 nm|| 8||P6, 넷버스트, 코어 || || 2007년||P1266 (CPU), P1266.8 (SoC) || 45 nm|| 9||펜린, 네할렘 || || 2009년||P1268 (CPU), P1269 (I/O, SoC) || 32 nm|| 10||웨스트미어, 샌디브리지 || || 2011년||P1270 (CPU), P1271 (I/O, SoC) || 22 nm|| 11||아이비브리지, 하스웰 || || 2014년||P1272 (CPU), P1273 (I/O, SoC) || 14 nm|| 12||브로드웰, 스카이레이크, 사이프러스 코브 || || 2018년||P1274 (CPU), P1275 (I/O, SoC) || 10 nm Intel 7|| 12, 13||팜 코브, 서니 코브, 윌로 코브, 골든 코브 || }}} === 14 nm === 2015년 중반에 도입되어 2021년 상반기까지 주력으로 쓰였다. 트랜지스터 밀도는 타사의 10-12nm에 준한다고 평가된다. 브로드웰/스카이레이크에 사용된 초기 14nm를 14, 카비레이크에 사용된 개선된 버전을 14+, 커피레이크에 사용된 성능을 더욱 올린 버전을 14++로 구분하기도 하나, 커피레이크 이후 해당 구분은 사용하지 않는 상태이다. 갈수록 최적화가 이루어져 2020년 출시된 쿠퍼레이크 프로세서에 사용된 버전의 경우 브로드웰에 사용된 초기 14nm 버전 대비 성능이 21% 향상되었다.[[https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/newsroom/posts/galleries/2020-08-13-raja-koduri-architecture-day-presentation/intel-2020-architecture-day-4-16x9.jpg.rendition.intel.web.1920.1080.jpg|#]] === 10 nm / 10 nm SuperFin === 100.8 MTr/mm^^2^^에 달하는 과도하게 높은 밀도 목표(전 공정 대비 2.7배)와 코발트 배선 등의 신기술 적용, R&D 인력의 대규모 해고 등의 이유로 2019년 10세대 모바일용 CPU인 아이스 레이크에 이르러서야 상용화되었으며,[* 2018년에 나온 캐논 레이크가 있긴 하나 이건 제대로 된 물건이라고는 보기 힘들다.] 2021년 상반기부터 본격적으로 생산량이 증가하여 저전력 모바일용 칩에 한하여 일부 노트북 모델에 한정되어 비교적 소량 공급되던 상황을 벗어나 고성능 노트북(H 라인업) 및 서버용 프로세서(제온 스케일러블)까지의 다양한 제품군에 도입이 이루어졌다. (로직 트랜지스터 한정, 초기 10 nm 공정 기준) TSMC의 N7보다 약간 높은 밀도를 가지고 있다. 또한 10 nm 공정부터 차세대 [[https://newsroom.intel.co.kr/news-releases/%ed%8f%ac%eb%b2%a0%eb%a1%9c%ec%8a%a4foveros-3d-%ea%b8%b0%ec%88%a0-%ed%83%91%ec%9e%ac%ed%95%9c-%ec%9d%b8%ed%85%94-%eb%a0%88%ec%9d%b4%ed%81%ac%ed%95%84%eb%93%9c/|포베로스]] 패키징이 적용되어서 I/O 등의 일부 부분은 별도의 공정을 사용해서 제조가 가능한 구조로 되어있다.[* 첫 도입은 10nm이긴 하지만 실험적인 도입이라 전 라인업 도입은 안되고 향후 7nm(Intel 4)부터 본격적으로 도입될 예정이다.] === Intel 7 (구 10 nm Enhanced SuperFin) === 미국 서부시간 2021년 7월 26일 오후 2시에 10 nm 최적화 공정인 10nm Enhanced SuperFin을 Intel 7으로 공정명을 변경했다. 기존 14 nm 개선 공정에 비해 클럭 포텐셜이 낮아 노트북, 서버용 제품군에만 사용되던 인텔 10 nm 공정(P1274)의 이전 버전과 달리 본격적으로 데스크탑에 도입되었다. 인텔 발표에 따르면 10 nm SuperFin 대비 전성비가 10% 향상되었다. === Intel 4 (구 7 nm) === Intel 7과 마찬가지로 이름이 변경되었다. 인텔 발표에 따르면 Intel 7 대비 전성비가 20% 향상될 예정이다. 2023년부터 [[아일랜드]] 공장에서 EUV 생산 예정이다. 2023년 출시 예정인 메테오 레이크에 쓰일 예정이다.[* 메테오 레이크의 컴퓨트 타일이 2021년 2분기에 Tape-in에 들어갔고, 같은 해 4분기에 Tape-out에 들어갔다.] 인텔 4 기반 프로세서부터는 CPU 코어는 계속 인텔 공정을 쓰되, GPU 타일 등 나머지 다이를 상당 부분 TSMC 등에 생산을 맡겨 포베로스 패키징을 이용해 합쳐서 제조할 예정이다. === Intel 3 === 로드맵 상에서 2023년 하반기에 선보일 공정이다. 2024년 출시 예정인 그래닛 래피즈에 쓰일 예정이다. TSMC와 삼성전자의 3 nm 공정에 대응할 것으로 보인다. 인텔 발표에 따르면 Intel 4 대비 전성비가 18% 향상될 예정이다. === Intel 20A === 2024년에 선보일 공정이다. A는 [[옹스트롬]]의 의미로 10^^-10^^ m(= 0.1 nm)을 의미한다. 2024년 출시 예정인 애로우 레이크에 쓰일 예정이다. [[TSMC]], [[삼성전자]]와 [[라피더스]]의 2nm 공정에 해당할 것으로 보인다. 인텔 발표에 따르면 Intel 3 대비 전성비가 15% 향상될 예정이다. 인텔은 이 단계에서 기존의 FinFET에서 RibbonFET이라 부르는 GAAFET을 도입할 예정이다. === Intel 18A === 2025년에 선보일 공정으로 1.8nm에 해당되는 공정이다. 로드맵대로 진행되면 이 시점에 인텔은 미세 공정에서 다시 선두를 잡게된다. 인텔 발표에 따르면 Intel 20A 대비 전성비가 10% 향상될 예정이다. 첨단 기술의 집약체라고 볼 수 있는 [[ASML]]의 High-NA 노광장비인, EXE:5200 6대를 공급 받아 공정에 도입할 예정이다.[* 6대만 해도 한화로 무려 3조 6,000억 원 규모이다.] 양산에 성공한다면, 파운드리 재도전 5년 차도 안 되어 TSMC와 삼성전자보다 앞선 공정 기술을 선보이는 셈이다. 2023년 4월, [[Arm(기업)|Arm]]이 모바일을 비롯한 [[SoC]] 전반에 걸쳐 18A 공정 파트너사로 참여했다. 7월에는 [[에릭슨]]의 [[5G]] 통신장비와 미국 국방부의 방산 제품에 쓰일 반도체를 수주했다고 발표했다. 2023년 12월 21일 0.55NA 집광력이 탑재된 ASML의 EXE:5200이 자사 [[오리건]] 공장으로 납품되기 시작했다고 밝히면서 본격적인 출하가 시작되었다.[* 상술했듯 가장 큰 액수의 투자를 해둔 덕에 TSMC, 삼성전자, SK하이닉스까지 계약을 체결해둔 네 곳의 업체보다 우선으로 공급받았다.] == 파운드리 서비스 == === 개방형 파운드리 === 2023년 5월 기준, 인텔 디렉터인 [[마크 가드너]]는 인텔의 개방형 파운드리를 공표했다.[[https://n.news.naver.com/mnews/article/138/0002148877?sid=105|#]] 그는 생태계 파트너십 구축과 활용이 필요한 상황임을 언급했다. 칩렛 간 통신, 패키지 간 통신에 대한 표준이 필요하며, 고객사에서 서로 다른 공정에 대해 모두 설계할 수 있도록 활용이 쉬워야 한다고 말했다. 이에 따라 인텔이 제공하는 파운드리 패키징 서비스를 '''개방형 파운드리'''라 명명했다. 제품 스펙에서 최종 설계뿐만 아니라 웨이퍼 제조와 패키징, 조립, 제조 선별 테스트까지 제공 가능한 옵션과 다른 파운드리 서비스에서 제공받는 서비스를 결합할 수 있다고 설명했다. 가령 고객사가 인텔 파운드리 대신, 다른 기업의 파운드리에 웨이퍼를 주문 및 공급받고 인텔의 패키징 서비스만 받거나, 조립과 테스트 공정만 사용할 수도 있는 등 유연한 파운드리 서비스 제공을 의미한다. == 여담 == 과거 [[인텔]]의 공정은 동세대 타 회사([[TSMC]], [[삼성 파운드리]] 등)보다 한발 더 앞서 있었다. 그 이유는 [[트랜지스터]] 밀도인데 예를 들어 삼성과 TSMC 10 nm가 50 MTr/mm^^2^^ [* 1 mm²에 5000만개의 트랜지스터가 들어간다는 뜻]을 찍을 때 인텔 10 nm는 100.8 MTr/mm^^2^^을 찍는다. 다만 인텔이 공정 숫자에서 손해보는 것이 많아 숫자를 TSMC와 삼성전자 기준에 맞추기로 결정하고 10 nm Enhanced SuperFin부터 Intel 7으로 이름을 변경했다. [[https://www.anandtech.com/show/16823/intel-accelerated-offensive-process-roadmap-updates-to-10nm-7nm-4nm-3nm-20a-18a-packaging-foundry-emib-foveros|아난드텍]] == 참고 문서 == * [[TSMC]] * [[삼성 파운드리]] * [[파운드리]] * [[인텔 스카이레이크 마이크로아키텍처]] * [[인텔 코브 마이크로아키텍처]] [각주] [[분류:인텔]]캡챠되돌리기