문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 트랜지스터 (문단 편집) == 기타 == * 아래와 같은 트랜지스터들도 있다. * UJT: PN접합이 1개뿐인 트랜지스터. 다이오드와 같은 모양인데, 다이오드의 한쪽 전극을 두 개로 쪼개 각각의 끝에 전극을 붙인 형상을 하고 있다. 이 트랜지스터는 음의 저항(아니 [[이게 뭔 개소리야]] 라고 할지도 모르겠지만, 이 소자의 V-I 곡선은 N자 모양으로 형성된다) 특성을 갖기 때문에 발진기로 쓰인다. * [[IGBT]]: 항목 참조. 바이폴라 트랜지스터의 베이스 전극이 절연되어 있다. * MESFET: 쇼트키 효과를 이용한 트랜지스터. NIN(n형 도핑영역 사이에 진성반도체를 끼워넣은 형상)구조의 진성반도체 영역에 게이트 전극을 직접 붙인 형상을 하고 있다. GHz 급의 초고주파 영역에서 사용된다. 사실 릴리엔필드의 특허는 이 트랜지스터와 더 가깝다. * 그 밖에 수십 ~ 수백 GHz급의 초고주파 영역에서 사용되는 HEMT(High Electron Mobility Transistor), HJT(Hetero-Junction Transistor) 등이 있다. * 자세한 내용은 전자회로 및 초고주파공학 관련 전공책에 수록되어 있다. [[물리2]]을 보아도 어느 정도 이해가 가능하다. 혹시 시중에 나온 회로이론 책을 뒤지다가 트랜지스터 항목이 안나와서 난감 했다면, 반도체소자 내지 전기/전자공학개론 앞장을 펼쳐 반도체가 나온 항목을 찾아봐도 좋다. 몇몇 책에는 안나와 있기도 하다. 초급자에게는 neamen의 책을 추천하며, 중급자에게는 yuan taur의 책을 추천한다. * '''트랜지스터라디오'''는 합성어로 취급되어 붙여 쓴다. * 극성을 잘못 꽂거나 과전압, 과전류 등으로 인해 트랜지스터가 파손되면 트랜지스터가 매우 뜨거워져서 화상을 입을 수 있다. 특히 고전력 회로일 경우 트랜지스터가 아예 타버리거나 폭발하기도 하므로 주의가 필요하다.[* 다만 고전력 회로의 경우에는 보통 이를 제어하는 FET 드라이버에 보호회로가 있어 이런 일이 자주 일어나거나 하지 않고 실제로 트랜지스터가 터지는 장면이 자주 일어나는 경우는 학생들이 트랜지스터을 [[브레드보드]]에 연결하다 뒤집어서 연결하는 경우다. 이마저도 만약 전원공급장치가 과전류보호 기능이 달려있다면 거의 안 일어난다.] [[분류:반도체 소자]][[분류:미국의 발명품]]저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기