문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 트랜지스터 (문단 편집) ===== BSPDN (Back Side Power Delivery Network) ===== 기존에는 학회에서나 언급되어 왔으나 2021년 7월 26일 Intel Accelerated event에서 대중에게 처음 공개되었다. 인텔은 "PowerVia", TSMC는 "Back Side Power Rail"라 부르며 삼성은 BSPDN이라는 명칭을 그대로 사용한다. 현재의 모든 공정은 앞면에 모든 Power Net을 구성하는 FSPDN (Front Side Power Delivery Network) 방식으로 제조된다. 이에 따라 현존하는 모든 공정에서 Back Side는 기판의 역할 외에 큰 의미가 없었다. 그러나 GAA를 시작으로 3D 구조에 대한 관심이 커지면서 BSPDN 에 대한 필요성이 커졌고, 이에 따라 2nm 공정부터는 후면을 이용한 Power Routing을 진행하는 구조가 제시되었다. 해당 구조를 채택하면 전면에서 Power Line을 빼버릴 수 있어 공간 효율이 좋아진다. 3D 구조의 도입으로 전력 분배의 효율성도 상승한다. 성능적으로는 남는 공간을 활용한 Placement를 통해 Signal [[레이턴시|Latency]] 감소나 Delay 감소 등에도 기여할 수 있다. 논문에 따르면 SRAM 매크로 부분에 이를 적용하면 FSPDN 대비 44%의 성능 개선과 30%의 전력 효율 개선이 나타났고, 로직에서는 2.5배의 속도 상승과 60%의 전력 효율 개선이 나타났다고 한다. 디스플레이에서나 신경쓰던 백플레인에 대한 공정 부분이다보니 전문가들 사이에서는 패키징 구간에서의 공정 기술 개발 시장이 열릴 것으로 기대하고 있기도 하다. 인텔은 Intel 20A(2024년), TSMC는 N2(2025년), 삼성 파운드리는 SF1.4(2027년)에 각각 적용할 예정이다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기