문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 트랜지스터 (문단 편집) ===== 게이트 올 어라운드 (Gate - All - Around, GAA) ===== ||<:>[youtube(3otqUu-7WUQ, start = 37)]|| || '''37초부터 43초까지''' || [[https://www.etnews.com/20220630000083|전자신문 - [3나노 GAA 시대]핀펫 시대 종언…트랜지스터 패러다임 바꿨다]] 2010년대 중반부터 제시된 반도체 소자 모델이다. 앞선 FinFET 구조에서 채널을 나노 와이어로 대체한 구조다. 해당 구조를 이용하면 기존 채널 구조 대비 4방향 (위 + 아래 + 양옆)에 Gate가 존재하는 효과를 가지게 되어 FinFET보다도 정교한 전류량 제어가 가능하다. 삼성 파운드리의 3GAE(SF3E)의 경우 5LPE(SF5E)에서 이전시 PPA는 전력 45% 절감, 성능 23% 향상, 면적 16퍼 축소의 효과를 보이며 TSMC의 N2의 경우 N3E에서 이전시 전력 25~30% 절감, 성능 10~15% 향상, 밀도 1.1배 이상 향상의 효과가 있다. 구조상 앞선 FinFET이 지니던 단채널 효과 (Short Channel Effect)를 극복할 수 있으며, 세로 적층에도 적합한 덕분에 3D 공정 효율이 굉장히 높은 특성을 지닌다. GAA는 채널의 폭을 조절해 여러 형상을 만들 수 있으며 폭을 크게 만들어 좌우가 긴 형태를 삼성은 "MBCFET", TSMC는 "Nanosheet Transistor"라고 호칭하고 있다.[*5 인텔도 폭을 자유롭게 조절할 수 있으나 명칭은 폭과 관련없이 "RibbonFET"이라고 부른다.] 삼성 파운드리는 2022년 3GAE(SF3E)에서 도입해 2024년 3GAP(SF3)에서 본격적으로 사용할 예정이며, 인텔은 intel 20A(2024년), TMSC는 N2(2025년)에서 도입할 예정이다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기