문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 트랜지스터 (문단 편집) =====# 동작 원리 #===== MOSFET의 동작 원리는 다음과 같다. 일반적으로 많이 사용되는 n-channel MOSFET의 경우, 게이트에 양의 전압을 인가하여 Substrate Silicon에 공핍층을 형성한다. 이때 게이트 전압이 Threshold Voltage, 즉 문턱 전압을 넘게 되면 Oxide-Semiconductor Interface에 Minority Carrier인 전자가 밀집하게 되어 채널을 형성하고, 이 얇은 레이어를 Inversion Layer라고 부른다. Inversion layer 를 형성하는 carrier는 주로 source 내지는 drain으로 부터 넘어오며, 이때 source 및 drain은 일종의 carrier reservior 와 같은 역할을 수행하게 된다. 만약 source와 drain의 도움이 없다면, inversion layer를 형성하는 carrier들은 더 저속으로 공급되게 될 것이다. N mos의 경우에는, 소스와 드레인은 p-substrate에 n+로 도핑하여 형성하며, P mos의 경우는 그 반대이다. 낮은 drain votage 영역에 한해서, 소스에 GND, 드레인에 드레인 전압 VD를 인가하여 전계를 형성하면 드레인 전류 ID가 VD에 의해 선형적으로 증가하는 꼴을 보인다. 조금 더 높은 drain voltage에서는 VD 증가에 따른 ID 증가가 위로 볼록한 이차함수 꼴을 따르게 된다. 한편 VD가 VG(게이트 전압) - VT(문턱 전압)에 도달하게 되면 더이상 전류량의 증가는 일어나지 않으며 saturation된다. 이때 VG-VT를 Pinch-off Voltage라고 한다. 실제로는 pinch-off 현상은 일어나지 않으며 velocity saturation에 의해 추가적인 전류 증가가 미미하다고 해석하는 것이 조금 더 정확하다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기