문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 트랜지스터 (문단 편집) ==== 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET) ==== ||<:>[[파일:external/upload.wikimedia.org/200px-Lateral_mosfet.svg.png]]|| ||<:> '''n-채널(channel) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)''' || ||<:> {{{#!folding [ 최초의 MOSFET ] ||[[파일:Sagfet by robert w bower.png|width=300]]|| ||로버트 w 바우어가 만든 자체 정렬 게이트 mosfet 특허의 면부분. 요즘 말하는 mosfet은 대부분 sagfet을 가리킨다. || }}} || ||<:> {{{#!folding [ 국내 최초 MOSFET ] ||[[파일:Mosfet by khang da won.png|width=300]]|| || Martin m atalla에게서 mosfet구현을 일임받은 [[강대원]] 박사가 만들어낸 최초의 mosfet || }}} || metal-oxide-semiconductor field-effect transistor. 1960년에 개발된 [[집적회로]]가 나타날 수 있게 만든 트랜지스터이다. 소스와 드레인의 [[도핑]]에 따라 n형과 p형으로 나뉘고 n형과 p형이 나란히 있는 [[CMOS]]가 존재한다. 개발자는 벨 연구소에 근무하며 MOS-프로세스와 패시배이션 공정의 이론적 발명을 끝마친 모하메드 아탈라(Mohamed M. Atalla) 박사와 입사 1년차였던 [[강대원|한국계 미국인 강대원 박사]]가 최초로 발명했다. 최초의 디자인은 그냥 실리콘 덩어리에다 옥사이드 깔아 놓고 메탈을 꾹 눌러 놓은 [[루티드]]스러운 형태였다. 발표된 순서는 BJT보다 먼저였으나, 실리콘과 옥사이드 사이의 인터페이스 스테이트를 제대로 줄이지 못했기에 상용화는 지지부진이었다. 그러나 이후 실리콘 위에 옥사이드를 얹는 게 아니라, 실리콘 자체를 리액터에 넣어 산화시키는 (수증기, H2O기반의 프리커서를 쓰면 wet, H2, O2 따로 넣으면 dry) 공정이 개발된 이후 본격적으로 IC의 시대가 열린다. 여기에 가장 큰 공헌을 한 인물은 텍사스 인스트루먼츠의 잭 킬비. 로버트 w.바우어가 자체 정렬 게이트 MOSFET을 발명함으로써 현재의 집적회로에 이르게 된다.[* [[https://patents.google.com/patent/US3472712A/en]]] 21세기 들어서 고전력 반도체를 제외하면 아날로그 집적회로는 거의 모두 [[CMOS]] (N형 MOS와 P형 MOS를 합친 구조)로 설계된다고 봐도 무방하다. 모든 반도체는 제조공정의 미세화가 진행될수록 수명이 짧아지는 경향이 있다. 작동을 위해 전압을 인가하는데, 이 전압이 회로의 피로를 누적시켜 최종적으로 파괴되는 절연파괴가 진행되기 때문. [[SSD]]가 공정미세화되면서 수명이 짧아지는 원리와 동일하다. 다만, CPU 자체가 워낙 신뢰성을 요구하는 하드웨어라서 온갖 기술들을 집약시켰기 때문에 반도체 중에서는 수명이 긴 편일 뿐이다. 현대 CPU는 정규전압/정규클럭에서 풀로드 상태에서의 수명을 최소 10년 정도를 보장하고 있다.--물론 현실은 기술의 상향평준화로 인해 이 정도로 사용하는 경우는 드물지만--저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기